摘 要： 为提高4H碳化硅（4H Silicon carbide，4H-SiC）纳米材料的光电催化性能，采用两步阳极氧化法制备了4H-SiC纳米多孔阵列（Nanoporous array，NA），并通过高温退火制备石墨/4H-SiC NA光阳极；通过扫描电子显微（试读）...